0 0 0
  8. IXFA4N100Q

Транзисторы с каналом N SMD IXFA4N100Q

 
IXFA4N100Q
 
IXYS
Артикул: 374119
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 150Вт; TO263AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
604.54 грн
3+
425.89 грн
7+
402.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263AA(1599216)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
39нC(1479127)
Технология
HiPerFET™(1667445)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,51 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXFA4N100Q
IXYS
Артикул: 374119
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 150Вт; TO263AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
604.54 грн
3+
425.89 грн
7+
402.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263AA
Время готовности
250нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
39нC
Технология
HiPerFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,51 g