0 0 0
  8. IXFH230N10T

Транзисторы с каналом N THT IXFH230N10T

 
IXFH230N10T
 
IXYS
Артикул: 079112
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 230А; 650Вт; TO247-3; 82нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
495.93 грн
3+
446.33 грн
6+
433.16 грн
10+
416.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Время готовности
82нс(1758412)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
230А(1479578)
Сопротивление в открытом состоянии
4,7мОм(1479532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
650Вт(1741919)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
250нC(1705288)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,265 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXFH230N10T
IXYS
Артикул: 079112
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 230А; 650Вт; TO247-3; 82нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
495.93 грн
3+
446.33 грн
6+
433.16 грн
10+
416.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Время готовности
82нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
230А
Сопротивление в открытом состоянии
4,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
650Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
250нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,265 g