0 0 0
  8. IXFK420N10T

Транзисторы с каналом N THT IXFK420N10T

 
IXFK420N10T
 
IXYS
Артикул: 985371
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 420А; 1670Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 129.02 грн
3+
1 067.84 грн
500+
1 026.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 49 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Время готовности
140нс(1743126)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
420А(1717729)
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1670Вт(1743036)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
670нC(1743037)
Технология
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) Trench™(1743125)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,775 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXFK420N10T
IXYS
Артикул: 985371
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 420А; 1670Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 129.02 грн
3+
1 067.84 грн
500+
1 026.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 49 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Время готовности
140нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
420А
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1670Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
670нC
Технология
HiPerFET™
Технология
GigaMOS™
Технология
Trench™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 9,775 g