0 0 0
  7. IXFN100N65X2

Транзисторные модули MOSFET IXFN100N65X2

 
IXFN100N65X2
 
IXYS
Артикул: 268631
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 089.29 грн
2+
1 975.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
78А(1479434)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Рассеиваемая мощность
595Вт(1741809)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
183нC(1714108)
Технология
HiPerFET™(1667445) X2-Class(1742968)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,09 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN100N65X2
IXYS
Артикул: 268631
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 089.29 грн
2+
1 975.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
78А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Рассеиваемая мощность
595Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
183нC
Технология
HiPerFET™
Технология
X2-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,09 g