0 0 0
  7. IXFN120N65X2

Транзисторные модули MOSFET IXFN120N65X2

 
IXFN120N65X2
 
IXYS
Артикул: 990598
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 037.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
220нс(1739732)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
108А(1492245)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Рассеиваемая мощность
890Вт(1742082)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
240нC(1643365)
Технология
HiPerFET™(1667445) X2-Class(1742968)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,11 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN120N65X2
IXYS
Артикул: 990598
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 037.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
220нс
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
108А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Рассеиваемая мощность
890Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
240нC
Технология
HiPerFET™
Технология
X2-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,11 g