0 0 0
  7. IXFN150N65X2

Транзисторные модули MOSFET IXFN150N65X2

 
IXFN150N65X2
 
IXYS
Артикул: 268640
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 783.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
190нс(1705688)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
145А(1492574)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Рассеиваемая мощность
1,04кВт(1742092)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
355нC(1705687)
Технология
HiPerFET™(1667445) X2-Class(1742968)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,32 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN150N65X2
IXYS
Артикул: 268640
Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 783.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
190нс
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
145А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
355нC
Технология
HiPerFET™
Технология
X2-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,32 g