0 0 0
  7. IXFN160N30T

Транзисторные модули MOSFET IXFN160N30T

 
IXFN160N30T
 
IXYS
Артикул: 268641
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 902.39 грн
2+
1 798.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
130А(1441558)
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм(1441301)
Рассеиваемая мощность
900Вт(1741866)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
376нC(1743031)
Технология
GigaMOS™(1717731)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
444А(1758583)
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,8 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN160N30T
IXYS
Артикул: 268641
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 902.39 грн
2+
1 798.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
130А
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм
Рассеиваемая мощность
900Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
376нC
Технология
GigaMOS™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
444А
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,8 g