0 0 0
  7. IXFN170N25X3

Транзисторные модули MOSFET IXFN170N25X3

 
IXFN170N25X3
 
IXYS
Артикул: 268642
Модуль; одиночный транзистор; 250В; 146А; SOT227B; винтами; 390Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 176.34 грн
2+
2 058.09 грн
3+
2 057.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
135нс(1440078)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
146А(1758580)
Сопротивление в открытом состоянии
7,4мОм(1758581)
Рассеиваемая мощность
390Вт(1741792)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
0,19мкC(1950536)
Технология
HiPerFET™(1667445) X3-Class(1745112)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,14 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN170N25X3
IXYS
Артикул: 268642
Модуль; одиночный транзистор; 250В; 146А; SOT227B; винтами; 390Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 176.34 грн
2+
2 058.09 грн
3+
2 057.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
135нс
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
146А
Сопротивление в открытом состоянии
7,4мОм
Рассеиваемая мощность
390Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
0,19мкC
Технология
HiPerFET™
Технология
X3-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,14 g