0 0 0
  7. IXFN180N25T

Транзисторные модули MOSFET IXFN180N25T

 
IXFN180N25T
 
IXYS
Артикул: 935840
Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 522.88 грн
2+
1 440.24 грн
3+
1 439.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
168А(1743050)
Сопротивление в открытом состоянии
12,9мОм(1743051)
Рассеиваемая мощность
900Вт(1741866)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
364нC(1743052)
Технология
GigaMOS™(1717731)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
500А(1714522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,15 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN180N25T
IXYS
Артикул: 935840
Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 522.88 грн
2+
1 440.24 грн
3+
1 439.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
168А
Сопротивление в открытом состоянии
12,9мОм
Рассеиваемая мощность
900Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
364нC
Технология
GigaMOS™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
500А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,15 g