0 0 0
  7. IXFN210N30X3

Транзисторные модули MOSFET IXFN210N30X3

 
IXFN210N30X3
 
IXYS
Артикул: 935952
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 833.93 грн
30+
2 832.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
190нс(1705688)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
210А(1479574)
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм(1478952)
Рассеиваемая мощность
695Вт(1741767)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
375нC(1745111)
Технология
HiPerFET™(1667445) X3-Class(1745112)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
650А(1758585)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,14 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN210N30X3
IXYS
Артикул: 935952
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 833.93 грн
30+
2 832.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
190нс
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
210А
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм
Рассеиваемая мощность
695Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
375нC
Технология
HiPerFET™
Технология
X3-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
650А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,14 g