0 0 0
  7. IXFN230N20T

Транзисторные модули MOSFET IXFN230N20T

 
IXFN230N20T
 
IXYS
Артикул: 268653
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 383.46 грн
2+
2 253.62 грн
3+
2 252.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
220А(1479576)
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм(1441297)
Рассеиваемая мощность
1090Вт(1743054)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
358нC(1743053)
Технология
GigaMOS™(1717731)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
630А(1758579)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,12 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN230N20T
IXYS
Артикул: 268653
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 383.46 грн
2+
2 253.62 грн
3+
2 252.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
220А
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм
Рассеиваемая мощность
1090Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
358нC
Технология
GigaMOS™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
630А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,12 g