0 0 0
  7. IXFN24N100

Транзисторные модули MOSFET IXFN24N100

 
IXFN24N100
 
IXYS
Артикул: 268656
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 841.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
390мОм(1628538)
Рассеиваемая мощность
568Вт(1742042)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
250нC(1705288)
Технология
HiPerFET™(1667445)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
96А(1758594)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,16 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN24N100
IXYS
Артикул: 268656
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 841.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
250нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
390мОм
Рассеиваемая мощность
568Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
250нC
Технология
HiPerFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
96А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,16 g