0 0 0
  7. IXFN27N120SK

Транзисторные модули MOSFET IXFN27N120SK

 
IXFN27N120SK
 
IXYS
Артикул: 501951
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 025.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
21,5А(1633634)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
160нC(1479521)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 100 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN27N120SK
IXYS
Артикул: 501951
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 025.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
21,5А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
160нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 100 g