0 0 0
  7. IXFN320N17T2

Транзисторные модули MOSFET IXFN320N17T2

 
IXFN320N17T2
 
IXYS
Артикул: 268662
Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 101.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
150нс(1440082)
Напряжение сток-исток
170В(1758350)
Ток стока
260А(1479589)
Сопротивление в открытом состоянии
5,2мОм(1599111)
Рассеиваемая мощность
1,07кВт(1742095)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
640нC(1758351)
Технология
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) TrenchT2™(1743041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
800А(1758574)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,9 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN320N17T2
IXYS
Артикул: 268662
Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 101.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
150нс
Напряжение сток-исток
170В
Ток стока
260А
Сопротивление в открытом состоянии
5,2мОм
Рассеиваемая мощность
1,07кВт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
640нC
Технология
HiPerFET™
Технология
GigaMOS™
Технология
TrenchT2™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
800А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,9 g