0 0 0
  7. IXFN32N100P

Транзисторные модули MOSFET IXFN32N100P

 
IXFN32N100P
 
IXYS
Артикул: 268663
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 429.44 грн
2+
2 297.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
27А(1441591)
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом(1638678)
Рассеиваемая мощность
690Вт(1742088)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
225нC(1694855)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
75А(1759383)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,01 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN32N100P
IXYS
Артикул: 268663
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 429.44 грн
2+
2 297.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
27А
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом
Рассеиваемая мощность
690Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
225нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
75А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,01 g