0 0 0
  7. IXFN340N07

Транзисторные модули MOSFET IXFN340N07

 
IXFN340N07
 
IXYS
Артикул: 268667
Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 373.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
70В(1441528)
Ток стока
340А(1479607)
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм(1479261)
Рассеиваемая мощность
700Вт(1741872)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
0,49мкC(1950545)
Технология
HiPerFET™(1667445)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,36кА(1758569)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,42 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN340N07
IXYS
Артикул: 268667
Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 373.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
70В
Ток стока
340А
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм
Рассеиваемая мощность
700Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
0,49мкC
Технология
HiPerFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,36кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,42 g