0 0 0
  7. IXFN360N15T2

Транзисторные модули MOSFET IXFN360N15T2

 
IXFN360N15T2
 
IXYS
Артикул: 984112
Модуль; одиночный транзистор; 150В; 310А; SOT227B; винтами; 1070Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 399.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 17 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
150нс(1440082)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
310А(1758345)
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм(1479261)
Рассеиваемая мощность
1,07кВт(1742095)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
715нC(1743035)
Технология
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) TrenchT2™(1743041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
900А(1714537)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,17 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN360N15T2
IXYS
Артикул: 984112
Модуль; одиночный транзистор; 150В; 310А; SOT227B; винтами; 1070Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 399.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 17 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
150нс
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
310А
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм
Рассеиваемая мощность
1,07кВт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
715нC
Технология
HiPerFET™
Технология
GigaMOS™
Технология
TrenchT2™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
900А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,17 g