0 0 0
  7. IXFN400N15X3

Транзисторные модули MOSFET IXFN400N15X3

 
IXFN400N15X3
 
IXYS
Артикул: 268672
Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 160.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
132нс(1758348)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
400А(1479617)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм(1479571)
Рассеиваемая мощность
695Вт(1741767)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
365нC(1758347)
Технология
HiPerFET™(1667445) X3-Class(1745112)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
900А(1714537)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,81 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN400N15X3
IXYS
Артикул: 268672
Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 160.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
132нс
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
400А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм
Рассеиваемая мощность
695Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
365нC
Технология
HiPerFET™
Технология
X3-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
900А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,81 g