0 0 0
  7. IXFN40N90P

Транзисторные модули MOSFET IXFN40N90P

 
IXFN40N90P
 
IXYS
Артикул: 268675
Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 564.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
0,23Ом(1503652)
Рассеиваемая мощность
695Вт(1741767)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
230нC(1694419)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,89 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN40N90P
IXYS
Артикул: 268675
Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 564.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
0,23Ом
Рассеиваемая мощность
695Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
230нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,89 g