0 0 0
  7. IXFN44N100Q3

Транзисторные модули MOSFET IXFN44N100Q3

 
IXFN44N100Q3
 
IXYS
Артикул: 984111
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 312.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
38А(1479331)
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом(1702962)
Рассеиваемая мощность
960Вт(1745496)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
264нC(1758369)
Технология
HiPerFET™(1667445) Q3-Class(1743022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
110А(1758590)
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,84 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN44N100Q3
IXYS
Артикул: 984111
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 312.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
38А
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом
Рассеиваемая мощность
960Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
264нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Q3-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,84 g