0 0 0
  7. IXFN44N80Q3

Транзисторные модули MOSFET IXFN44N80Q3

 
IXFN44N80Q3
 
IXYS
Артикул: 268680
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 012.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
37А(1479325)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Рассеиваемая мощность
780Вт(1741885)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
185нC(1743003)
Технология
HiPerFET™(1667445) Q3-Class(1743022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,12 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN44N80Q3
IXYS
Артикул: 268680
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 012.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
37А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Рассеиваемая мощность
780Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
185нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Q3-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,12 g