0 0 0
  7. IXFN48N60P

Транзисторные модули MOSFET IXFN48N60P

 
IXFN48N60P
 
IXYS
Артикул: 268681
Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 846.35 грн
2+
1 745.61 грн
50+
1 725.93 грн
100+
1 670.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом(1702961)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
HiPerFET™(1667445) PolarHV™(1733726)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
110А(1758590)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,99 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN48N60P
IXYS
Артикул: 268681
Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 846.35 грн
2+
1 745.61 грн
50+
1 725.93 грн
100+
1 670.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Рассеиваемая мощность
625Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
150нC
Технология
HiPerFET™
Технология
PolarHV™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,99 g