0 0 0
  7. IXFN50N120SIC

Транзисторные модули MOSFET IXFN50N120SIC

 
IXFN50N120SIC
 
IXYS
Артикул: 268682
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 595.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 10 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
26нс(1743045)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
0,1мкC(1950532)
Технология
SiC(1591568) HiPerFET™(1667445)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10...25В(1981126)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,45 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN50N120SIC
IXYS
Артикул: 268682
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 595.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 10 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
26нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
0,1мкC
Технология
SiC
Технология
HiPerFET™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10...25В
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,45 g