0 0 0
  7. IXFN50N120SK

Транзисторные модули MOSFET IXFN50N120SK

 
IXFN50N120SK
 
IXYS
Артикул: 985977
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 478.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
54нс(1739729)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
48А(1441568)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
115нC(1607626)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,6 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN50N120SK
IXYS
Артикул: 985977
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 478.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
54нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
48А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
115нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,6 g