0 0 0
  7. IXFN52N100X

Транзисторные модули MOSFET IXFN52N100X

 
IXFN52N100X
 
IXYS
Артикул: 268684
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 374.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
260нс(1743021)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
44А(1479353)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Рассеиваемая мощность
830Вт(1742094)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
245нC(1758370)
Технология
HiPerFET™(1667445) X-Class(1743023)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,82 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN52N100X
IXYS
Артикул: 268684
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 374.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
260нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
44А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Рассеиваемая мощность
830Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
245нC
Технология
HiPerFET™
Технология
X-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,82 g