0 0 0
  7. IXFN56N90P

Транзисторные модули MOSFET IXFN56N90P

 
IXFN56N90P
 
IXYS
Артикул: 268687
Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 902.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
0,145Ом(1743039)
Рассеиваемая мощность
1кВт(1701923)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
375нC(1745111)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
168А(1759381)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,34 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN56N90P
IXYS
Артикул: 268687
Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 902.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
0,145Ом
Рассеиваемая мощность
1кВт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
375нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
168А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,34 g