0 0 0
  7. IXFN66N85X

Транзисторные модули MOSFET IXFN66N85X

 
IXFN66N85X
 
IXYS
Артикул: 268693
Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 797.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 12 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
850В(1441401)
Ток стока
65А(1441313)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Рассеиваемая мощность
830Вт(1742094)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
230нC(1694419)
Технология
HiPerFET™(1667445) X-Class(1743023)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
140А(1759379)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,04 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN66N85X
IXYS
Артикул: 268693
Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 797.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 12 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
250нс
Напряжение сток-исток
850В
Ток стока
65А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Рассеиваемая мощность
830Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
230нC
Технология
HiPerFET™
Технология
X-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
140А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,04 g