0 0 0
  7. IXFN80N60P3

Транзисторные модули MOSFET IXFN80N60P3

 
IXFN80N60P3
 
IXYS
Артикул: 1087372
Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 857.54 грн
2+
1 755.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
66А(1599492)
Сопротивление в открытом состоянии
77мОм(1643345)
Рассеиваемая мощность
960Вт(1745496)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
0,19мкC(1950536)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar3™(1733725)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,1 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN80N60P3
IXYS
Артикул: 1087372
Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 857.54 грн
2+
1 755.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
250нс
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
66А
Сопротивление в открытом состоянии
77мОм
Рассеиваемая мощность
960Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
0,19мкC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar3™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,1 g