0 0 0
  7. IXFN94N50P2

Транзисторные модули MOSFET IXFN94N50P2

 
IXFN94N50P2
 
IXYS
Артикул: 268702
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 810.19 грн
2+
1 711.87 грн
3+
1 711.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
68А(1492242)
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм(1441323)
Рассеиваемая мощность
780Вт(1741885)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
0,22мкC(1950537)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar2™(1743020)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,5 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN94N50P2
IXYS
Артикул: 268702
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 810.19 грн
2+
1 711.87 грн
3+
1 711.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
250нс
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
68А
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Рассеиваемая мощность
780Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
0,22мкC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar2™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,5 g