0 0 0
  8. IXFT20N100P

Транзисторы с каналом N SMD IXFT20N100P

 
IXFT20N100P
 
IXYS
Артикул: 077043
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 20А; 660Вт; TO268; 300нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 117.55 грн
2+
790.38 грн
3+
789.60 грн
4+
746.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
570мОм(1714500)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
660Вт(1742821)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
126нC(1629833)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXFT20N100P
IXYS
Артикул: 077043
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 20А; 660Вт; TO268; 300нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 117.55 грн
2+
790.38 грн
3+
789.60 грн
4+
746.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
570мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
660Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
126нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g