0 0 0
  8. IXFT50N60X

Транзисторы с каналом N SMD IXFT50N60X

 
IXFT50N60X
 
IXYS
Артикул: 077064
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; 660Вт; TO268; 195нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
973.37 грн
2+
696.27 грн
4+
658.80 грн
30+
658.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Время готовности
195нс(1758422)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
73мОм(1479126)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
660Вт(1742821)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ultra junction x-class(1758349)
Заряд затвора
116нC(1609972)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,07 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXFT50N60X
IXYS
Артикул: 077064
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; 660Вт; TO268; 195нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
973.37 грн
2+
696.27 грн
4+
658.80 грн
30+
658.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Время готовности
195нс
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
73мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
660Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ultra junction x-class
Заряд затвора
116нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,07 g