0 0 0
  8. IXGF32N170

Транзисторы IGBT THT IXGF32N170

 
IXGF32N170
 
IXYS
Артикул: 221083
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 19А; 200Вт; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 520.97 грн
2+
1 438.63 грн
3+
1 437.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c(1813560)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
19А(1478910)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
90нс(1441743)
Время выключения
920нс(1751794)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
146нC(1750683)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT THT IXGF32N170
IXYS
Артикул: 221083
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 19А; 200Вт; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 520.97 грн
2+
1 438.63 грн
3+
1 437.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
19А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
90нс
Время выключения
920нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
200Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
146нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g