0 0 0
  8. IXGH2N250

Транзисторы IGBT THT IXGH2N250

 
IXGH2N250
 
IXYS
Артикул: 221101
Транзистор: IGBT; NPT; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 163.93 грн
2+
925.44 грн
3+
874.73 грн
30+
860.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 287 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
2,5кВ(1733707)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
2А(1440893)
Ток коллектора в импульсе
13,5А(1750690)
Время включения
115нс(1640058)
Время выключения
278нс(1751510)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
32Вт(1614700)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
10,5нC(1609889)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,09 g
 
Транзисторы IGBT THT IXGH2N250
IXYS
Артикул: 221101
Транзистор: IGBT; NPT; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 163.93 грн
2+
925.44 грн
3+
874.73 грн
30+
860.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 287 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
2,5кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
2А
Ток коллектора в импульсе
13,5А
Время включения
115нс
Время выключения
278нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
32Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
10,5нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,09 g