0 0 0
  8. IXGH32N170

Транзисторы IGBT THT IXGH32N170

 
IXGH32N170
 
IXYS
Артикул: 221108
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 32А; 350Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 416.46 грн
2+
1 339.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
32А(1441637)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
90нс(1441743)
Время выключения
920нс(1751794)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
350Вт(1701906)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g
 
Транзисторы IGBT THT IXGH32N170
IXYS
Артикул: 221108
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 32А; 350Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 416.46 грн
2+
1 339.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
32А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
90нс
Время выключения
920нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
350Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
155нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g