0 0 0
  8. IXGT16N170

Транзисторы IGBT SMD IXGT16N170

 
IXGT16N170
 
IXYS
Артикул: 220565
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 16А; 190Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 030.21 грн
2+
735.75 грн
4+
695.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
16А(1440971)
Ток коллектора в импульсе
80А(1441679)
Время включения
90нс(1441743)
Время выключения
1,6мкс(1606192)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
78нC(1609951)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXGT16N170
IXYS
Артикул: 220565
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 16А; 190Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 030.21 грн
2+
735.75 грн
4+
695.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
16А
Ток коллектора в импульсе
80А
Время включения
90нс
Время выключения
1,6мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
190Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
78нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g