0 0 0
  8. IXGT16N170A

Транзисторы IGBT SMD IXGT16N170A

 
IXGT16N170A
 
IXYS
Артикул: 220566
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 11А; 190Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 085.85 грн
2+
848.59 грн
4+
802.99 грн
10+
802.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
11А(1478906)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Время включения
35нс(1441709)
Время выключения
298нс(1694422)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,02 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXGT16N170A
IXYS
Артикул: 220566
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 11А; 190Вт; TO268
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 085.85 грн
2+
848.59 грн
4+
802.99 грн
10+
802.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
11А
Ток коллектора в импульсе
40А
Время включения
35нс
Время выключения
298нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
190Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
70нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,02 g