0 0 0
  8. IXTA110N055T2

Транзисторы с каналом N SMD IXTA110N055T2

 
IXTA110N055T2
 
IXYS
Артикул: 077097
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 180Вт; TO263; 38нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.35 грн
3+
157.66 грн
8+
125.20 грн
22+
118.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
38нс(1710452)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
110А(1479508)
Сопротивление в открытом состоянии
6,6мОм(1599494)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
180Вт(1701962)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
57нC(1479286)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTA110N055T2
IXYS
Артикул: 077097
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 180Вт; TO263; 38нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.35 грн
3+
157.66 грн
8+
125.20 грн
22+
118.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
38нс
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
110А
Сопротивление в открытом состоянии
6,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
180Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
57нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g