0 0 0
  8. IXTA110N12T2

Транзисторы с каналом N SMD IXTA110N12T2

 
IXTA110N12T2
 
IXYS
Артикул: 077098
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
241.44 грн
3+
216.74 грн
6+
172.91 грн
16+
163.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
64нс(1758406)
Напряжение сток-исток
120В(1520458)
Ток стока
110А(1479508)
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм(1441294)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
517Вт(1741909)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTA110N12T2
IXYS
Артикул: 077098
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
241.44 грн
3+
216.74 грн
6+
172.91 грн
16+
163.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
64нс
Напряжение сток-исток
120В
Ток стока
110А
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
517Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
0,12мкC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g