0 0 0
  8. IXTA120N075T2

Транзисторы с каналом N SMD IXTA120N075T2

 
IXTA120N075T2
 
IXYS
Артикул: 077100
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 120А; 250Вт; TO263; 50нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.58 грн
3+
230.29 грн
6+
184.07 грн
15+
173.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
50нс(1440089)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
7,7мОм(1599917)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
78нC(1609951)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,487 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTA120N075T2
IXYS
Артикул: 077100
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 120А; 250Вт; TO263; 50нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.58 грн
3+
230.29 грн
6+
184.07 грн
15+
173.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
50нс
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
7,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
78нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,487 g