0 0 0
  8. IXTA120P065T

Транзисторы с каналом P SMD IXTA120P065T

 
IXTA120P065T
 
IXYS
Артикул: 140823
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -120А; 298Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
423.70 грн
3+
381.72 грн
4+
303.98 грн
9+
287.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 283 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
53нс(1614698)
Напряжение сток-исток
-65В(1743768)
Ток стока
-120А(1743769)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
298Вт(1742077)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
185нC(1743003)
Технология
TrenchP™(1743213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IXTA120P065T
IXYS
Артикул: 140823
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -120А; 298Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
423.70 грн
3+
381.72 грн
4+
303.98 грн
9+
287.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 283 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
53нс
Напряжение сток-исток
-65В
Ток стока
-120А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
298Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
185нC
Технология
TrenchP™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g