0 0 0
  8. IXTA130N10T7

Транзисторы с каналом N SMD IXTA130N10T7

 
IXTA130N10T7
 
IXYS
Артикул: 600592
Транзистор: N-MOSFET; TrenchMV™; полевой; 100В; 130А; Idm: 350А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
265.90 грн
5+
193.80 грн
14+
182.95 грн
500+
177.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263-7(1492235)
Время готовности
77нс(1758401)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
130А(1441558)
Сопротивление в открытом состоянии
9,1мОм(1479222)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
360Вт(1702121)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
104нC(1744095)
Технология
TrenchMV™(1758571)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
350А(1811067)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTA130N10T7
IXYS
Артикул: 600592
Транзистор: N-MOSFET; TrenchMV™; полевой; 100В; 130А; Idm: 350А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
265.90 грн
5+
193.80 грн
14+
182.95 грн
500+
177.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263-7
Время готовности
77нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
130А
Сопротивление в открытом состоянии
9,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
360Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
104нC
Технология
TrenchMV™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
350А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g