0 0 0
  8. IXTA180N10T

Транзисторы с каналом N SMD IXTA180N10T

 
IXTA180N10T
 
IXYS
Артикул: 077110
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 480Вт; TO263; 72нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
365.15 грн
3+
329.43 грн
4+
262.75 грн
11+
248.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 28 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
72нс(1758383)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
180А(1441541)
Сопротивление в открытом состоянии
6,4мОм(1693692)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
480Вт(1741831)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
151нC(1479549)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,535 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTA180N10T
IXYS
Артикул: 077110
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 480Вт; TO263; 72нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
365.15 грн
3+
329.43 грн
4+
262.75 грн
11+
248.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 28 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
72нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
180А
Сопротивление в открытом состоянии
6,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
480Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
151нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,535 g