Транзисторы с каналом P SMD IXTA32P20T

 
IXTA32P20T
 
Артикул: 140832
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -32А; 300Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
600.18 грн
3+
427.59 грн
7+
404.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
190нс(1705688)
Напряжение сток-исток
-200В(1441458)
Ток стока
-32А(1643119)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
185нC(1743003)
Технология
TrenchP™(1743213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IXTA32P20T
IXYS
Артикул: 140832
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -32А; 300Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
600.18 грн
3+
427.59 грн
7+
404.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
190нс
Напряжение сток-исток
-200В
Ток стока
-32А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
185нC
Технология
TrenchP™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g