0 0 0
  8. IXTA60N20T

Транзисторы с каналом N SMD IXTA60N20T

 
IXTA60N20T
 
IXYS
Артикул: 077156
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 60А; 500Вт; TO263; 118нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
343.62 грн
3+
308.87 грн
4+
245.55 грн
11+
232.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 14 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
118нс(1758411)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
73нC(1479024)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,54 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTA60N20T
IXYS
Артикул: 077156
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 60А; 500Вт; TO263; 118нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
343.62 грн
3+
308.87 грн
4+
245.55 грн
11+
232.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 14 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
118нс
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
500Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
73нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,54 g