0 0 0
  8. IXTA64N10L2

Транзисторы с каналом N SMD IXTA64N10L2

 
IXTA64N10L2
 
IXYS
Артикул: 077158
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 64А; 357Вт; TO263; 180нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 043.70 грн
2+
731.39 грн
4+
691.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
180нс(1743006)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
64А(1479412)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
linear power mosfet(1758338)
Заряд затвора
0,1мкC(1950532)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTA64N10L2
IXYS
Артикул: 077158
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 64А; 357Вт; TO263; 180нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 043.70 грн
2+
731.39 грн
4+
691.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
180нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
64А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
357Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
linear power mosfet
Заряд затвора
0,1мкC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g