0 0 0
  8. IXTA96P085T

Транзисторы с каналом P SMD IXTA96P085T

 
IXTA96P085T
 
IXYS
Артикул: 140838
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
423.48 грн
4+
304.47 грн
9+
288.24 грн
100+
285.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 22 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Время готовности
55нс(1440073)
Напряжение сток-исток
-85В(1599218)
Ток стока
-96А(1618394)
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм(1479176)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
298Вт(1742077)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
180нC(1479420)
Технология
TrenchP™(1743213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,537 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IXTA96P085T
IXYS
Артикул: 140838
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
423.48 грн
4+
304.47 грн
9+
288.24 грн
100+
285.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 22 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Время готовности
55нс
Напряжение сток-исток
-85В
Ток стока
-96А
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
298Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
180нC
Технология
TrenchP™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,537 g