0 0 0
  8. IXTH1N200P3

Транзисторы с каналом N THT IXTH1N200P3

 
IXTH1N200P3
 
IXYS
Артикул: 079486
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2кВ; 1А; 125Вт; TO247-3; 2,3мкс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
592.97 грн
3+
425.48 грн
7+
402.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Время готовности
2,3мкс(1758434)
Напряжение сток-исток
2кВ(1758433)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
40Ом(1707500)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTH1N200P3
IXYS
Артикул: 079486
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2кВ; 1А; 125Вт; TO247-3; 2,3мкс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
592.97 грн
3+
425.48 грн
7+
402.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Время готовности
2,3мкс
Напряжение сток-исток
2кВ
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
40Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g