0 0 0
  8. IXTH2R4N120P

Транзисторы с каналом N THT IXTH2R4N120P

 
IXTH2R4N120P
 
IXYS
Артикул: 079503
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 2,4А; Idm: 6А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
615.14 грн
3+
435.19 грн
7+
411.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Время готовности
920нс(1747348)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
2,4А(1441489)
Сопротивление в открытом состоянии
7,5Ом(1441519)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
37нC(1479234)
Технология
Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTH2R4N120P
IXYS
Артикул: 079503
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 2,4А; Idm: 6А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
615.14 грн
3+
435.19 грн
7+
411.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Время готовности
920нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
2,4А
Сопротивление в открытом состоянии
7,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Заряд затвора
37нC
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g