0 0 0
  8. IXTH32P20T

Транзисторы с каналом P THT IXTH32P20T

 
IXTH32P20T
 
IXYS
Артикул: 141139
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -32А; 300Вт; 190нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
649.13 грн
2+
516.21 грн
3+
515.44 грн
6+
487.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Время готовности
190нс(1705688)
Напряжение сток-исток
-200В(1441458)
Ток стока
-32А(1643119)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
185нC(1743003)
Технология
TrenchP™(1743213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,305 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTH32P20T
IXYS
Артикул: 141139
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -32А; 300Вт; 190нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
649.13 грн
2+
516.21 грн
3+
515.44 грн
6+
487.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Время готовности
190нс
Напряжение сток-исток
-200В
Ток стока
-32А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
185нC
Технология
TrenchP™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,305 g