0 0 0
  7. IXTN110N20L2

Транзисторные модули MOSFET IXTN110N20L2

 
IXTN110N20L2
 
IXYS
Артикул: 268707
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 141.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
420нс(1747345)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Рассеиваемая мощность
735Вт(1742768)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
500нC(1743221)
Технология
Linear L2™(1747340)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
275А(1758576)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXTN110N20L2
IXYS
Артикул: 268707
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 141.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
420нс
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Рассеиваемая мощность
735Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
500нC
Технология
Linear L2™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
275А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g